| 型号： | MBRB10100-E3/4W |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 135K |
| 描述： | DIODE SCHOT 10A 100V SGL TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | TMBS® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 800mV @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBM11DREN | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
| IRS2330DSPBF | IC BRIDGE DVR 3PH 600V 28-SOIC |
| EBM11DREH | CONN EDGECARD 22POS .156 EYELET |
| RBA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| 22R155C | INDUCTOR RADIAL 1.5MH 0.13A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB10100-E38W | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology |
| MBRB10100TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| MBRB10150CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:930mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 150V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 |
| MBRB10200CTTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:980mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 |
| MBRB1030CT | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 60 Volts |