参数资料
型号: MBRB10100-E3/8W
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 135K
描述: DIODE SCHOT 10A 100V SGL TO263AB
标准包装: 1
系列: TMBS®
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 800mV @ 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 100V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 标准包装
其它名称: MBRB10100-E3/8WGIDKR
New PI'0dUCt
MBR(F,B)1o9o & MBR(F,B)1o1oo ‘M
Vishay General Semiconductor 7
ELEOTRIOAL cHARAcTERIsTIcs (TC = 25 00 unless otherwise noted)
PARAMETER TEsTco~RIEIoNs 1
0.80
Maximum instantaneous forward voltage (‘) 0.65
0.75
Maximum reverse current at working peak
reverse voltage (2)
Notes
(‘) Pulse test: 300 us pulse width, 1 °/s duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width 5 40 ms
THERMAL cHARAcTERIsTIcs (To = 25 ac unless otherwise noted)
PARAMETER @ -E1
. . Fl
Typical thermal resistance QJA
RBJC
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (9) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
ToE22oAc MERARARAER/Aw jjmmimj
IToE22oAc MEREARARAER/Aw eZ
To?263AB MBRB1o1oo-E3/4WTo—263AB MBRB1o1oo-E3/8W 800/reel Tape and reel
RATINGs AND cHARAcTERIsTIcs cuRVEs
(TA = 25 cc unless otherwise noted)
loo
Resistive or inductive LoadT J : T J max8 3 ms Single Hall Slne—Wave
b:3
A 3
< :
E § 29:) 3 1202 0
0 a’
'9 E‘in 3 loog (0E ‘E; T-g E 80 XE E 2g) x< 8 onD.
40 2
O 50 Too 150 I In loo
Case Temperature (“Cl Number of Cycles at 60 Hz
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Maximum Non—Repetitive Peak Forward Surge Current
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2 PDD-Americas@vishay_oom, PDD-Asia@vishay_oom, PDD-EuroQe@vishay_oom Revision: 24-Jun-09
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