参数资料
型号: MBRB10100-E3/8W
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 2/5页
文件大小: 135K
代理商: MBRB10100-E3/8W
New Product
MBR(F,B)1090 & MBR(F,B)10100
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 89034
Revision: 24-Jun-09
2
Notes
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum instantaneous forward voltage (1)
IF = 10 A
IF = 20 A
TC = 25 °C
TC = 125 °C
VF
0.80
0.65
0.75
V
Maximum reverse current at working peak
reverse voltage (2)
TJ = 25 °C
TJ = 100 °C
IR
100
6.0
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Typical thermal resistance
RθJA
RθJC
60
2.0
-
3.5
60
2.0
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AC
MBR10100-E3/4W
1.845
4W
50/tube
Tube
ITO-220AC
MBRF10100-E3/4W
1.661
4W
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10100-E3/4W
1.384
4W
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10100-E3/8W
1.384
8W
800/reel
Tape and reel
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
2
4
6
10
0
50
100
150
8
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
Resistive or Inductive Load
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
40
60
100
80
140
120
160
1
100
10
T
J = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相关PDF资料
PDF描述
MBRB1090-E3/4W 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MM3Z30VBW 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MM3Z47VBW 47 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MSPMLL5266A-1E3 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
MV1PMT4104 10 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-216AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRB10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):850mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1
MBRB10150CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):930mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 150V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1
MBRB10200CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1
MBRB1030CT 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 60 Volts
MBRB1030CT_11 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 30 to 60 Volts