参数资料
型号: MBRB10100-E3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/3页
文件大小: 125K
代理商: MBRB10100-E3
0
0.2
0.1
0.5
1.0
0.4
0.3
5.0
50
20
10
0.5
1.0
3.0
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
0.6
0.7
0.8
0.5
0.9
1.0
10
0.01
0.1
0.01
110
100
10
100
0.1
1
40
60
100
80
140
120
160
110
100
0
20
100
40
60
80
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
MBR10100, MBRF10100 & MBRB10100 Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88665
www.vishay.com
01-Jul-02
3
相关PDF资料
PDF描述
MBRB1035/45-E3 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB1060/45-E3 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB10H100/31-E3 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB10H90/45-E3 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB15H50CT-E3 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRB10100-E3/45 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MBRB10100 Series 45 V 10 A Through Hole Schottky Rectifier - TO-220AC
MBRB10100-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB10100-E3/8W 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 100 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB10100-E34W 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology
MBRB10100-E38W 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Trench MOS Schottky technology