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参数资料
| 型号： | MBRB1035TRL |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, TO-220, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MBRB1035TRL |
Document Number: 94302
For technical questions, contact: diodestech@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 09-Sep-09
3
MBRB1035PbF, MBRB1045PbF
Schottky Rectifier, 10 A
Vishay High Power Products
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current vs.
Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance ZthJC Characteristics
1
10
100
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop (V)
0.4
0.6
1.0
1.4
1.8
0.8
1.2
1.6
0.2
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0.0001
0.001
1
10
100
0.1
0.01
I R
-Reverse
Current
(mA)
VR - Reverse Voltage (V)
10
515
20
40
45
25
30
35
0
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 100 °C
T
J = 75 °C
T
J = 50 °C
T
J = 25 °C
100
1000
C
T
-Junction
Capacitance
(pF)
VR - Reverse Voltage (V)
20
10
30
40
50
0
T
J = 25 °C
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
(°C/W)
100
10
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Single pulse
(thermal resistance)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB1045TRRPBF | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| MBRB1645TRL | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MBRB1045 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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