- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录39579 > MBRB1060-E3/81 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRB1060-E3/81 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MBRB1060-E3/81 |
MBR(F,B)1035 thru MBR(F,B)1060
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88669
Revision: 07-May-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instanteno
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
1000
10 000
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF1045HE3/45 | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR1035HE3/45 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR1035-E3/45 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR1050-E3 | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB1035-E3 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB1060-HE3/31 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Schottky 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
| MBRB1060HE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1060HE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1060TR | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| MBRB1090 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Voltage Schottky Rectifiers |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。