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参数资料
| 型号： | MBRB1090/45-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | MBRB1090/45-E3 |
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Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
MBR10100, MBRF10100 & MBRB10100 Series
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88665
www.vishay.com
01-Jul-02
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB10100/81 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB1090/81-E3 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRF1090/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR10100-G | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB1080-G | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB1090CT | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:2SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| MBRB1090CT-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1090CT-E3/8W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1090-E3/4W | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB1090-E3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 90 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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