参数资料
型号: MBRB10H100/45-E3
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/3页
文件大小: 85K
代理商: MBRB10H100/45-E3
MBR10H100, MBRF10H100 & MBRB10H100
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88667
www.vishay.com
03-Oct-02
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
0
50
150
100
250
200
300
110
100
1.0
1000
0.01
0.1
110
100
1000
10000
10
100
180
MBRF
MBR
MBRB
10000
100
10
I R
-
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
T
ransient
Thermal
Impedance
(
°C/W)
Fig. 1 — Forward Current Derating Curve
Fig. 2 — Maximum Non-Repetitive Peak
Forward Surge Current
20
100
40
60
80
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 100°C
TJ = 125°C
Fig. 4 — Typical Reverse Characteristics
0.1
0.2
0.6
0.7
0.8
0.9
0.3
100
10
0.1
0.01
1.0
0.4
0.5
1.0
TJ = 25°C
TJ=150°C
TJ = 175°C
TJ = 125°C
TJ = 100°C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
Fig. 3 — Typical Instantaneous
Forward Characteristics
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PDF描述
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MBRF20H100CTG-E3 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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