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参数资料
| 型号： | MBRB10H100CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 518K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 100V DUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 760mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3.5µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)10H90CT & MBR(F,B)10H100CT
Vishay General Semiconductor
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region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88668
Revision: 08-Nov-07
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
,
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL VALUE UNIT
Maximum instantaneous forward voltage per diode
(1)
IF
= 5.0 A
IF
= 5.0 A
IF
= 10 A
IF
= 10 A
TJ
= 25 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 125 °C
VF
0.76
0.61
0.85
0.71
V
Maximum reverse current per diode at working peak
reverse voltage (1)
TJ
= 25 °C
TJ
= 100 °C
IR
3.5
4.5
μA
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR MBRF MBRB UNIT
Typical thermal resistance per diode RθJC
2.2 5.2 2.2 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR10H100CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF10H100CT-E3/45 1.79 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape reel
TO-220AB MBR10H100CTHE3/45 (1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF10H100CTHE3/45 (1)
1.79 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CTHE3/45 (1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB10H100CTHE3/81 (1)
1.35 81 800/reel Tape reel
Figure 1. Forward Derating Curve Per Diode
0
2
4
6
8
10
12
0 25 50 75 125 150 175100
Case Temperature (°C)
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
MBR
MBRB
MBRF
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
1 10 100
25
50
75
100
125
150
175
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESC07DRYS | CONN EDGECARD 14POS DIP .100 SLD |
| RN-2405S/HP | CONV DC/DC 1.25W 24VIN 05VOUT |
| T95S225M016LSAL | CAP TANT 2.2UF 16V 20% 1507 |
| RN-153.3S/HP | CONV DC/DC 1.25W 15VIN 3.3VOUT |
| ISL2100AABZ | IC DVR HALF-BRDGE HI FREQ 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB10H100-E3/31 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB10H100-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB10H100E3/81 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
| MBRB10H100-E3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB10H100HE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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