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参数资料
| 型号： | MBRB2045CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 502K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 45V DUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 650mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
MBR(F,B)2035CT thru MBR(F,B)2060CT
Vishay General Semiconductor
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PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
Document Number: 88674
Revision: 08-Nov-07
2
Note:
(1) Pulse test: 300
μs pulse width, 1 % duty cycle
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL MBR2035CT MBR2045CT MBR2050CT MBR2060CT UNIT
Maximum instantaneous
forward voltage per diode (1)
IF
= 10 A
IF
= 10 A
IF
= 20 A
IF
= 20 A
TC
= 25 °C
TC
= 125 °C
TC
= 25 °C
TC
= 125 °C
VF
0.65
0.57
0.84
0.72
0.80
0.70
0.95
0.85
V
Maximum reverse current
per diode at rated DC
blocking voltage per diode (1)
TC
= 25 °C
TC
= 125 °C
IR
0.1
15
0.15
15
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER SYMBOL MBR MBRF MBRB UNIT
Typical resistance from junction to case per diode RθJC
2.0 5.0 2.0 °C/W
ORDERING INFORMATION
(Example)
PACKAGE PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g) PACKAGE CODE BASE QUANTITY DELIVERY MODE
TO-220AB MBR2045CT-E3/45 1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF2045CT-E3/45 1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2045CT-E3/45 1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2045CT-E3/81 1.35 81 800/reel Tape reel
TO-220AB MBR2045CTHE3/45
(1)
1.85 45 50/tube Tube
ITO-220AB MBRF2045CTHE3/45
(1)
1.99 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2045CTHE3/45
(1)
1.35 45 50/tube Tube
TO-263AB MBRB2045CTHE3/81
(1)
1.35 81 800/reel Tape reel
Figure 1. Forward Derating Curve (Total)
0
4
8
12
20
0
50
100
150
16
Resistive or Inductive Load
A
v
erage For
w
ard C
u
rrent (A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
60
40
80
140
120
100
160
1
100
10
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak For
w
ard S
u
rge C
u
rrent (A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RS3-0509D/H3 | CONV DC/DC 3W 4.5-9VIN +/-09VOUT |
| GBC13DCAH-S189 | CONN EDGECARD 26POS R/A .100 SLD |
| 346-044-522-804 | CARDEDGE 44POS DUAL .125 GREEN |
| AIAP-01-471-K-T | INDUCTOR 470UH 10% 240MA |
| S2B/54 | RECTIFIER 100V 1.5A D0214AA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB2045CTHE45 | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Guardring for overvoltage protection |
| MBRB2045CTHE81 | 制造商:KERSEMI 制造商全称:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Guardring for overvoltage protection |
| MBRB2045CTP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 10 A |
| MBRB2045CTPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| MBRB2045CT-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Schottky 45V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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