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参数资料
型号： MBRB2060CT-GT4
厂商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分类： 整流器
英文描述： 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： GREEN, PLASTIC, D2PAK-3
文件页数： 3/4页
文件大小： 83K
代理商： MBRB2060CT-GT4
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Technical Data
Green Products
Data Sheet 3470, Rev. B
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBR2050/2060CT-G
MBRB2050/2060CT-G
MBR2050/2060CT-1-G
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
50
MBR2050CT-G
MBRB2050CT-G
MBR2050CT-1-G
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
60
MBR2060CT-G
MBRB2060CT-G
MBR2060CT-1-G
V
Max. Average Forward
IF(AV)
50% duty cycle @TC = 135°C,
rectangular wave form
20
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
(per leg)
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
150
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 10A, Pulse, TJ = 25 °C
@ 20A, Pulse, TJ = 25 °C
0.80
0.95
V
VF2
@ 10A, Pulse, TJ = 125 °C
@ 20A, Pulse, TJ = 125
°C
0.70
0.85
V
Max. Reverse Current
(per leg) *
IR1
@VR = rated VR Pulse
TJ = 25 °C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR , Pulse
TJ = 125 °C
150
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 4V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
400
pF
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,000
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
2.0
°C/W
Typical Thermal Resistance
Case to Heat Sink
RθCS
Mounting surface,
smooth and greased
(only for TO-220)
0.50
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
TO-220AB D
2PAK TO-262(Suffix”-1” for TO-262,”MBRB x” for D2PAK)
相关PDF资料
PDF描述
MSP6471 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MQSMCGLCE13AE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCGLCE7.5AE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MSPSMCJLCE64E3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
MVSMCGLCE120AE3TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRB2060CTHE3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 20A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB2060CTHE3/81 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 20A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB2060CTT4 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB2060CTT4G 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRB2060CT-TP 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 20736 MARILLA STREET CHATSWORTH
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