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参数资料
| 型号： | MBRB2545CT-G |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | MBRB2545CT-G |
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Technical Data
Green Products
Data Sheet 3487, Rev. A
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBR2535/2545CT-G
MBRB2535/2545CT-G
MBR2535/2545CT-1-G
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
35
MBR2535CT-G
MBRB2535CT-G
MBR2535CT-1-G
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
45
MBR2545CT-G
MBRB2545CT-G
MBR2545CT-1-G
V
15(per leg)
Max. Average Forward
Current
IF(AV)
50% duty cycle @TC =
130°C, rectangular wave
form
30(per device)
A
Peak Repetitive Forward
Current (per leg)
IFRM
Rated VR,square wave,
20kHz,TC=130°C
20
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
150
A
Peak Repetitive Reverse
Surge Current
IRRM
2.0μsec 1.0KHz
1.0
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 30A, Pulse, TJ = 25 °C
0.82
V
VF2
@ 10A, Pulse, TJ = 125
°C
0.73
V
Max. Reverse Current
(per leg) *
IR1
@VR = rated VR Pulse
TJ = 25 °C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR , Pulse
TJ = 125 °C
40
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 5V, TC = 25 °C fSIG = 1MHz
VSIG =50mV(p-p)
700
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,00
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
2.0
°C/W
Typical Thermal Resistance
Case to Heat Sink
RθCS
Mounting surface,
smooth and greased
(only for TO-220)
0.50
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
TO-220AB D
2PAK TO-262(Suffix “-1” for TO-262;”BMRB x” for D2PAK)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M1.5KE130ATRE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| M1.5KE13A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| M1.5KE16AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| M1.5KE220A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| M1.5KE250CA | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB2545CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB2545CTHE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB2545CTHE3-/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 45 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB2545CTP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 2 x 15 A |
| MBRB2545CTPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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