参数资料
型号: MBRB3045CT-GT4
厂商: SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分类: 整流器
英文描述: 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: GREEN, PLASTIC, D2PAK-3
文件页数: 3/4页
文件大小: 83K
代理商: MBRB3045CT-GT4
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Technical Data
Green Products
Data Sheet 3492, Rev. A
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBR3035-G/3045CT-G
MBRB3035-G/3045CT-G
MBR3035-G/3045CT-1-G
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
35
MBR3035CT-G
MBRB3035CT-G
MBR3035CT-1-G
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
45
MBR3045CT-G
MBRB3045CT-G
MBR3045CT-1-G
V
15(Per leg)
Max. Average Forward
IF(AV)
50% duty cycle @TC = 123°C,
rectangular wave form
30(Per Device)
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
240
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 30A, Pulse, TJ = 25 °C
0.84
V
VF2
@ 15A, Pulse, TJ = 125
°C
@ 30A, Pulse, TJ = 125 °C
0.57
0.72
V
Max. Reverse Current
(per leg) *
IR1
@VR = rated VR
TJ = 25
°C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR
TJ = 100 °C
40
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 4V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
500
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,000
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
1.6
°C/W
Maximum Thermal
Resistance, Case to Heat
Sink
RθJA
DC operation
50
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
TO-220AB D
2PAK TO-262
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