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参数资料
| 型号： | MBRB30H100CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MBRB30H100CT-E3/45 |
New Product
MBR(F,B)30H90CT & MBR(F,B)30H100CT
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88791
Revision: 19-May-08
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Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0.1
0
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10
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Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
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s
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u
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(A)
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J = 100 °C
T
J = 150 °C
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J = 175 °C
T
J = 25 °C
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Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
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C
u
rrent
(
A)
T
J = 100 °C
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
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1
100
10 000
0.1
10
1000
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
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1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBRB30H100CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB30H100CTHE3/81 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 100 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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| MBRB30H150CT-1/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 150 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB30H30CT-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier 30 V, 30 A |
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