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参数资料
| 型号： | MBRB735PBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MBRB735PBF |
MBR735/ MBR745, MBRB735/ MBRB745
Bulletin PD-2.325 rev. E 01/03
7
www.irf.com
MBR745
********************************************
*
This model has been developed by
*
Wizard SPICE MODEL GENERATOR (1999) *
* (International Rectifier Corporation) *
* contains Proprietary Information
*
********************************************
* SPICE Model Diode is composed by a
*
* simple diode plus paralled VCG2T
*
********************************************
.SUBCKT MBR745 ANO CAT
D1 ANO 1 DMOD (0.03191)
*Define diode model
.MODEL DMOD D(IS=9.72464638473799E-05A,N=1.30648926537753,BV=52V,
+ IBV=0.195508065728349A,RS= 0.000727548,CJO=1.94829876431799E-08,
+ VJ=2.27282978121533,XTI=2, EG=0.854458710837653)
********************************************
*Implementation of VCG2T
VX 1 2 DC 0V
R1 2 CAT TRES 1E-6
.MODEL TRES RES(R=1,TC1=27.6281424524011)
GP1 ANO CAT VALUE={-ABS(I(VX))*(EXP((((-5.219758E-03/27.62814)*((V(2,CAT)*1E6)/(I(VX)+1E-6)-
1))+1)*7.000165E-02*ABS(V(ANO,CAT)))-1)}
********************************************
.ENDS MBR745
Thermal Model Subcircuit
.SUBCKT MBR745 5 1
CTHERM1
5
4
1.05E+00
CTHERM2
4
3
4.44E+00
CTHERM3
3
2
1.16E+01
CTHERM4
2
1
6.12E+01
RTHERM1
5
4
1.33E+00
RTHERM2
4
3
1.19E+00
RTHERM1
3
2
3.81E-01
RTHERM1
2
1
9.54E-02
.ENDS MBR745
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7309
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/03
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial Level.
Qualification Standards can be found on IR's Web site.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB735TRRPBF | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB735TRR | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB745TRRPBF | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB735TRLPBF | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRB745-G | 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRB735PBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| MBRB735TRL | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB735TRR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 Amp 35 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRB735TRRPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Schottky 35V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| MBRB745 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 7.5 Amp 45 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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