参数资料
型号: MBRB745-E3/81
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 整流器
英文描述: 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/5页
文件大小: 479K
代理商: MBRB745-E3/81
MBR(F,B)735 thru MBR(F,B)760
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88680
Revision: 08-Nov-07
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.01
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0
1
10
100
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
10
100
1000
10 000
MBR735 - MBR745
MBR750 & MBR760
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
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PDF描述
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