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参数资料
| 型号： | MBRD320TRL |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | PLASTIC, SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | MBRD320TRL |
MBRD320, MBRD330, MBRD340
Bulletin PD-20756 rev. F 05/06
4
www.irf.com
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
(2)
Formula used: T
C = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = I
F(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
Pd
REV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = 80% rated VR
Average Forward Current - I
F(AV) (A)
Allowable
Case
Temperature
(°C)
Average
Power
Loss
(Watts)
Average Forward Current - I
F(AV)
(A)
Square Wave Pulse Duration - t
p (microsec)
Non-Repetitive
Surge
Current
-
I
FSM
(A)
100
110
120
130
140
150
160
012345
DC
Square wave (D = 0.50)
80% Rated Vr applied
see note (2)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
01
234
5
DC
RMS Limit
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
10
100
1000
10
100
1000
10000
At Any Rated Load Condition
And With rated Vrrm Applied
Following Surge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRB1635/31 | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
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| MBRF1535CT | 7.5 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRF1650 | 16 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRF10100/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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