参数资料
型号: MBRD340T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 149K
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
产品目录绘图: Rectifier D-Pak Pkg
标准包装: 10
系列: SWITCHMODE™
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 40V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 3A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 40V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
产品目录页面: 1567 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MBRD340T4GOSDKR
MBRD320G, SBRD8320G, MBRD330G, SBRD8330G, MBRD340G, SBRD8340G,
MBRD350G, SBRD8350G, MBRD360G, SBRD8360G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 2. Typical Reverse Current
Figure 3. Average Power Dissipation
0.2 0.3 0.5 0.6 0.8 0.90.7 1.0
0.1
0.1
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
100
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40 7050 60
0.001
0
40
20
0.1
0.04
0.02
0.01
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1.0
0
0
10
8.0
6.0
4.0
2.0
2.0
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
I
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
1.0
0.4
10 20 30
10
100
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 108.0 9.0
1.1
9.0
7.0
5.0
3.0
1.0
, REVERSE CURRENT (mA)
R
0.4
0.2
1.0
0.004
0.002
TJ
= 25
?C
150?C
125?C
75?C
TJ
= 150
?C
IPK/IAV
= 20
SINE
WAVE
SQUARE
WAVE
dc
10
5
TJ
= 150
?C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these curves if VR
is sufficient below rated V
R.
125?C
4.0
2.0
100?C
75?C
25?C
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