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参数资料
| 型号： | MBRD340TRL |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 封装： | SIMILAR TO TO-252AA, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MBRD340TRL |
MBRD320, MBRD330, MBRD340
Bulletin PD-20756 rev. D 03/03
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC
Characteristics
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
Forward Voltage Drop - V
FM
(V)
Instantaneous
Forward
Current
-
I
F
(A)
t
1
, Rectangular Pulse Duration (Seconds)
Thermal
Impedance
-
Z
thJC
(°C/W)
Reverse
Current
(mA)
Reverse Voltage - V
R
(V)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
125C
100C
75C
50C
25C
Tj = 150C
Reverse Voltage - V
R
(V)
Junction
Capacitance
C
T
(pF)
10
100
1000
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
Tj = 25C
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tj = 150C
Tj = 125C
Tj = 25C
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
(Thermal Resistance)
D = 0.75
D = 0.50
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.20
Notes:
1. Duty factor D = t1/ t2
2. Peak Tj = Pdm x Z thJC + Tc
2
t
1
t
P
DM
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