参数资料
型号: MBRD630CTT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK
标准包装: 1
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 700mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 30V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: MBRD630CTT4GOSDKR
MBRD620CTG Series, NRVBD640CTG Series
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage, Per Leg
Figure 2. Typical Reverse Current,* Per Leg
Figure 3. Average Power Dissipation, Per Leg
1.2
1.0
0
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
100
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40 7050 60
0.0001
0
0.1
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1.0
0
0
10
8.0
6.0
4.0
2.0
2.0
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
I
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
1.0
0.2 0.6 0.80.4
10 20 30
10
1000
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 108.0 9.0
0.1
1.4
9.0
7.0
5.0
3.0
1.0
, REVERSE CURRENT (mA)
R
1.0
0.01
TC
= 25
°C
150°C
125°C
75°C
TJ
= 150
°C
IPK/IAV
= 20
SINE
WAVE
SQUARE
WAVE
dc
10
5
TJ
= 175
°C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these curves if VR
is sufficient below rated V
R.
150°C
75°C
25°C
11
12
13
14
0.2
0.3
0.5
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
70
50
30
20
175°C
100
0.001
125°C
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MBRD650CTT4G DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
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参数描述
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MBRD640CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC 6A 40V SHTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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MBRD640CT-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全称:Frontier Electronics. 功能描述:6A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS