参数资料
型号: MBRD650CTG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
标准包装: 75
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 700mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 50V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 管件
其它名称: MBRD650CTG-ND
MBRD650CTGOS
MBRD620CTG Series, NRVBD640CTG Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 4. Current Derating, Case, Per Leg
Figure 5. Current Derating, Ambient, Per Leg
Figure 6. Typical Capacitance, Per Leg
90 100 120 130 150 160140
0
80
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
8.0
7.0
5.0
6.0
4.0
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
100 160120 140
0
0
2.0
1.0
0.5
60
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
70
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
C, CAPACITANCE (pF)
3.0
2.0
1.0
110
20 40 60 80
1.5
2.5
3.0
10 20 30 40 50
3.5
4.0
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1 K
TJ
= 25
°C
RATED VOLTAGE APPLIED
TJ
= 150
°C
RJC
= 6
°C/W
dc
SINE
WAVE
OR
SQUARE
WAVE
TJ
= 150
°C
VR
= 25 V
RJA
= 80
°C/W
SURFACE MOUNTED ON MIN.
PAD SIZE RECOMMENDED
SQUARE WAVE
OR
SINE WAVE
dc
VR
= 60 V
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PDF描述
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MBRD660CTG DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
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