参数资料
型号: MBRD650CTT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 100K
描述: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
标准包装: 1
系列: SWITCHMODE™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 700mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 50V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: DPAK-3
包装: 标准包装
其它名称: MBRD650CTT4GOSDKR
MBRD620CTG Series, NRVBD640CTG Series
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Typical Forward Voltage, Per Leg
Figure 2. Typical Reverse Current,* Per Leg
Figure 3. Average Power Dissipation, Per Leg
1.2
1.0
0
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
100
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40 7050 60
0.0001
0
0.1
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
1.0
0
0
10
8.0
6.0
4.0
2.0
2.0
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
I
P
F(AV)
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
1.0
0.2 0.6 0.80.4
10 20 30
10
1000
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 108.0 9.0
0.1
1.4
9.0
7.0
5.0
3.0
1.0
, REVERSE CURRENT (mA)
R
1.0
0.01
TC
= 25
°C
150°C
125°C
75°C
TJ
= 150
°C
IPK/IAV
= 20
SINE
WAVE
SQUARE
WAVE
dc
10
5
TJ
= 175
°C
*The curves shown are typical for the highest voltage device in the
voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections
can be estimated from these curves if VR
is sufficient below rated V
R.
150°C
75°C
25°C
11
12
13
14
0.2
0.3
0.5
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
70
50
30
20
175°C
100
0.001
125°C
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