参数资料
型号: MBRD660PBF
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
封装: LEAD FREE, D-PAK-3
文件页数: 5/8页
文件大小: 207K
代理商: MBRD660PBF
MBRD650CT, MBRD660CT
Bulletin PD-20755 rev. E 05/06
Part Marking Information
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
INTERNATIONAL
ASSEMBLY
LOT CODE
LOGO
RECTIFIER
X = SITE ID
WEEK 02
YEAR 0 = 2000
DATE CODE
PART NUMBER
THIS IS A MBRD660CT
MBRD660CT
Outline Table
Modified JEDEC outline TO-252AA
Dimensions in millimeters and (inches)
Document Number: 93463
www.vishay.com
5
相关PDF资料
PDF描述
MLL5544B 28 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
MLL5926B 11 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLL5931B 18 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLL5945B 68 V, 1.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLL4734DUR-1E3 5.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MBRD6U60CT 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
MBRD835L 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD835L_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE Power Rectifier
MBRD835LG 功能描述:肖特基二极管与整流器 8A 35V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
MBRD835L-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879