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参数资料
| 型号： | MBRF1060-HE3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AC, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MBRF1060-HE3/45 |
MBR(F,B)1035 thru MBR(F,B)1060
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88669
Revision: 07-May-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
0
20
40
60
80
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 125 °C
T
J = 75 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instanteno
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(mA)
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1
10
100
1000
10 000
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
MBR1035 - MBR1045
MBR1050 - MBR1060
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MQ1EZ120D5TR | 120 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
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| MQ1EZ200D2E3 | 200 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1GZ110D5E3TR | 110 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1GZ140D5E3 | 140 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBRF1080CT | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:10 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts |
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| MBRF1080CTL | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
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