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参数资料
| 型号： | MBRF1080CT |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MBRF1080CT |
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBRF1080CT
Technical Data
Data Sheet 3291, Rev. C
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
80
V
Max. Average Forward
IF(AV)
50% duty cycle @TC =100°C,
rectangular wave form
10
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
(per leg)
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
120
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
VF1
@ 5A, Pulse, TJ = 25 °C
@ 10A, Pulse, TJ = 25
°C
0.85
0.95
V
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF2
@ 5A, Pulse, TJ = 125
°C
@ 10A, Pulse, TJ = 125 °C
0.75
0.85
V
Max. Reverse Current at DC
condition (per leg)
IR1
@VR = rated VR
TJ = 25
°C
1.0
mA
Max. Reverse Current (per
leg) *
IR2
@VR = rated VR
TJ = 125 °C
15
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 5V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
300
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,000
V/
s
Clip mounting, the epoxy body
away from the heatsink edge by
more than 0.110" along the lead
direction.
4500
Clip mounting, the epoxy body is
inside the heatsink.
3500
RSM Isolation Voltage
(t = 1.0 second, R. H. < =30%,
TA = 25 °C)
VISO
Screw mounting, the epoxy body
is inside the heatsink.
1500
V
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
(per leg)
RθJC
DC operation
4.5
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
ITO-220AB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF10U100CTA | 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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| MBRF16100CT | 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF20120D | 10 A, 120 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF20150CT-G | 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBRF1080CT-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
| MBRF1080CTL | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF1080CTP | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:690mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF1080CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:850mV @ 5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 80V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF1080-G | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
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