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参数资料
| 型号： | MBRF20H200CT-E3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | MBRF20H200CT-E3/45 |
MBR20H200CT, MBRF20H200CT & SB20H200CT-1
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88786
Revision: 18-Apr-08
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Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
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1
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
0.1
0.2
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0.8
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1.1
0.1
0.01
1
10
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1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
10 000
T
J = 125 °C
T
J = 175 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
10
20
30
40
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70
80
90
100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
100
1000
10 000
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1
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100
10
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
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1
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10
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1
MBRF
MBR, MBRB
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
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