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参数资料
| 型号： | MBRF20L45CTG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 136K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO-220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FP |
| 包装： | 管件 |
MBR20L45CTG, MBRF20L45CTG
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
(Per Diode Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR) TC
= 141
°C
IF(AV)
10
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz)
IFRM
20
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
180
A
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?55 to +150
°C
Storage Temperature
Tstg
55 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
ESD Ratings: Machine Model = C
Human Body Model = 3B
> 400
> 8000
V
THERMAL CHARACTERISTICS
Maximum Thermal Resistance
(MBR20L45CTG) Junction?to?Case
Junction?to?Ambient
(MBRF20L45CTG) Junction?to?Case
RJC
RJA
RJC
1.9
45
2.2
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Per Diode Leg)
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(IF
= 10 A, T
C
= 25
°C)
(IF
= 10 A, T
C
= 125
°C)
(IF
= 20 A, T
C
= 25
°C)
(IF
= 20 A, T
C
= 125
°C)
vF
0.50
0.47
0.63
0.62
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
(Rated DC Voltage, TC
= 125
°C)
iR
0.5
170
mA
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
he
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤2.0%.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF2545CTG | DIODE SCHOTTKY 45V 12.5A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRF20L60CT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier 60 V, 20 A |
| MBRF20L60CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 60V FP SCHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF20L80CT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier 80 V, 20 A |
| MBRF20L80CTG | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20A 80V L-SERIES TO-220FP RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF20S100CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 20 AMPERE SCHOTTKY SCHOTTKY RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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