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参数资料
| 型号： | MBRF2545CT-HE3/45 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | MBRF2545CT-HE3/45 |
Document Number: 88675
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Revision: 15-Jun-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
MBR(F,B)2535CT thru MBR(F,B)2560CT
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
6
18
12
30
0
50
100
150
24
Resistive or Inductive Load
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Cu
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
0
25
75
50
125
100
150
1
100
10
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
0
0.2
0.1
0.5
1.0
0.4
0.3
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
20
0
100
40
60
80
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
Instantaneous
Re
v
e
rse
Current
(mA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MQ1EZ110D10E3 | 110 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1EZ140D2E3TR | 140 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1EZ160D1TR | 160 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1EZ170D10E3TR | 170 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ1GZ120D5TR | 120 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MBRF2550CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2550CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2560CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 60 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2560CT/45 | 功能描述:DIODE SCHTKY DUAL 60V ITO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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