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参数资料
| 型号： | MBRF2545CTHE3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 128K |
| 描述： | DIODE ARR SCHTKY 45V 15A ISODUAL |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 820mV @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
Document Number: 88675 For technical questions within your region, please contact one of the following: www.vishay.com
Revision: 15-Jun-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
MBR(F,B)2535CT thru MBR(F,B)2560CT
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA
= 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
6
18
12
30
0
50
100
150
24
Resistive or Inductive Load
Average Forward Cu
rrent (A)
Case Temperature (°C)
0
25
75
50
125
100
150
1 10010
TJ
= T
J
Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Peak Forward Surge Current (A)
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
0 0.20.1 0.5 1.00.3 0.6 0.7 0.8 0.90.4
TJ
= 150 °C
TJ
= 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Current (A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
0 10020
40 60 80
TJ
= 125 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Instantaneous Reverse Current (mA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
Junction Capaci
tance (pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF2545CT-E3/45 | DIODE ARR SCHTKY 45V 15A ISODUAL |
| T95Z156M025EZAL | CAP TANT 15UF 25V 20% 2910 |
| ISL83202IBZ | IC FET DRIVER H-BRIDGE 1A 16SOIC |
| RMC06DREH-S13 | CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND |
| HBC07DRTN-S13 | CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRF2550CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 50 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2550CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2550CTHE3/45 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2560CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30 Amp 60 Volt Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF2560CT/45 | 功能描述:DIODE SCHTKY DUAL 60V ITO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
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