- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录181330 > MBRF30150CT (SENSITRON SEMICONDUCTOR) 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MBRF30150CT |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | MBRF30150CT |
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Technical Data
Data Sheet M2657, Rev.-
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBRF30150CT
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
150
V
Max. Average Forward
IF(AV)
50% duty cycle @TC = 133°C,
rectangular wave form
30
A
Peak Repetitive Forward
Current(per leg)
IFRM
Rated VR square wave,
20KHz TC = 133°C
20
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
(per leg)
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
150
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 15 A, Pulse, TJ = 25
°C
@ 30 A, Pulse, TJ = 25 °C
1.00
1.20
V
VF2
@ 15 A, Pulse, TJ = 125 °C
@ 30 A, Pulse, TJ = 125
°C
0.80
0.90
V
Max. Reverse Current (per
leg) *
IR1
@VR = rated VR
TJ = 25 °C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR
TJ = 125
°C
6.0
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 5V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
400
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,000
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
2.0
°C/W
Maximum Thermal
Resistance, Case to Heat
Sink
RθJA
DC operation
60
°C/W
Maximum Thermal
Resistance, Case to Heat
Sink
RθCS
Mounting surface,
smooth and greased
0.50
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
ITO-220AB
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRF30200CT-G | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF3045PT | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRF3060PT | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRF40100CT | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF4080CT | 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRF30150CT C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 150V DUAL SCHOTTKY REC ISOLATD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF30150CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 150V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
| MBRF30200CT | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:30.0 AMPS. Isolated Schottky Barrier Rectifiers |
| MBRF30200CT C0 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30A 200V DUAL SCHOTTKY REC ISOLATD RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRF30200CTR | 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:950mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。