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参数资料
| 型号： | MBRF30H150CT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 114K |
| 描述： | DIODE SCHOT 30A 150V DUAL TO220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 900mV @ 15A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 15A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 隔离片 |
| 供应商设备封装： | ITO-220AB |
| 包装： | 管件 |
MBR30H150CT, MBRF30H150CT & SB30H150CT-1
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88865
Revision: 18-Apr-08
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3
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Figure 4. Typical Reverse Characteristics Per Diode
0.1 0.30.2 0.4 0.6 0.0.5 0.7 0.9 1.1 1.28
1.0
100
10
0.1
1
TJ
= 125 °C
TJ
= 175 °C
TJ
= 25 °C
TJ
= 75 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0.1
0.01
1
10
100
1000
10 000
10 20 30 50 70 10040 60
8090
TJ
= 175 °C
TJ
= 125 °C
TJ
= 75 °C
TJ
= 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (
μ
A)
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Diode
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
1 10010
100
1000
10 000
0.1
10
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
0.01
1 10010
10
100
0.1
0.1
1
MBRF
MBR, MBRB
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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