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参数资料
| 型号： | MBRM110E |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| 中文描述： | 表面贴装功率肖特基整流器 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MBRM110E |
MBRM110E
http://onsemi.com
5
T, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
0.001
100
0.1
0.00001
1,000
0.0001
0.001
0.01
1.0
10
Rtjl(t) = Rtjl*r(t)
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
Figure 8. Thermal Response Junction to Lead
100
0.1
0.00001
T, TIME (s)
1.0
0.1
0.01
R
0.0001
0.001
0.01
1.0
10
0.001
,
(
Rtjl(t) = Rtjl*r(t)
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
Figure 9. Thermal Response Junction to Ambient
R
,
(
Minimum Recommended Footprint
0.100
2.54
0.025
0.635
0.050
1.27
0.105
2.67
0.030
0.762
inches
mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRM110E_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBRM110ET1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Leakage RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRM110ET1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Leakage RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRM110ET3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Leakage RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRM110ET3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Leakage RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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