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参数资料
| 型号： | MBRS190T3 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 126K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 90V 2A SMB |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 90V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 750mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 90V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MBRS190T3OSDKR |
      MBRS1100T3G, SBRS81100T3G, MBRS190T3G, SBRS8190T3G http://onsemi.com 3 TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Typical Reverse Current* Figure 3. Power Dissipation Figure 4. Current Derating, Case, Per Leg 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.020 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS) 100?C 25?C i , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) F 1 K 400 200 100 40 20 10 4 2 1 0.4 0.2 0.1 0.04 0.010 102030405060708090100 0.02 TJ = 150 ?C 125?C 100?C VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 3.2 2.8 2.4 2.0 1.6 1.2 0.8 0.4 00 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 TJ = 100 ?C SQUARE WAVE DC IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) P , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS) F(AV) 2.0 1.5 1.0 0.5 0145 150 155 160 165 170 175 180 SQUARE WAVE DC TC, CASE TEMPERATURE (?C) I , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) F(AV) TJ = 150 ?C I R , REVERSE CURRENT ( A) ? *The curves shown are typical for the highest voltage device in the voltage grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these curves if VR is sufficient below rated V R. 25?C Figure 5. Typical Capacitance 280 260 240 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 20 00.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) C, CAPACITANCE (pF) NOTE: TYPICAL CAPACITANCE NOTE: AT 0 V = 270 pF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMM36DTKT | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| RGM36DTKT | CONN EDGECARD 72POS DIP .156 SLD |
| 3-641291-3 | CONN CARDEDGE 3PS 24AWG .156 TIN |
| 3-641290-9 | CONN CARDEDGE 9PS 22AWG .156 TIN |
| HHR-380AB27F2X2 | BATTERY PACK NIMH 4.8V 3700 MAH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRS190T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.5A 90V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS190T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBRS190TR | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 90 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS190TRPBF | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| MBRS190TRPBF_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 1.0 A |
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