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参数资料
| 型号： | MBRS3100T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 122K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC |
| 产品目录绘图： | Rectifier SMC Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 790mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1568 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MBRS3100T3GOSDKR |
    MBRS3100T3G, NRVBS3100T3G http://onsemi.com 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V V RRM RWM VR 100 V Average Rectified Forward Current (At Rated VR, TL = 100 ?C) IF(AV) 3.0 A Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) IFSM 130 A Operating Junction Temperature Range (Note 1) TJ ? 65 to +175 ?C Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t he Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ < 1/R JA. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction?to?Lead RJL 11 ?C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Value Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2) (iF = 3.0 A, T J = 25 ?C) (iF = 6.0 A, T J = 25 ?C) (iF = 3.0 A, T J = 125 ?C) (iF = 6.0 A, T J = 125 ?C) VF 0.79 0.90 0.62 0.70 V Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2) (Rated dc Voltage, TJ = 25 ?C) (Rated dc Voltage, TJ = 125 ?C) iR 0.05 5.0 mA 2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ? 2.0%. |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECA18DRMH | CONN EDGECARD 36POS .125 SQ WW |
| ECA18DRMD | CONN EDGECARD 36POS .125 SQ WW |
| TPSD227K010H0050 | CAP TANT 220UF 10V 10% 2917 |
| JWS15012/A | POWR SUP 150W 12V 13A ENCLOSED |
| NLFC453232T-150K-PF | INDUCTOR SHIELD 15UH 10% 1812 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRS3100T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Rectifier |
| MBRS3100T3G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MBRS3100T3G Series 3 A 100 V Schottky Barrier Rectifier - DO-214AB |
| MBRS320 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3.0a Power Rectifier Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS320_Q | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3.0a Power Rectifier Schottky RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS3200T3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 3A 200V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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