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参数资料
| 型号： | MBRS360TRPBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| 封装： | LEAD FREE, SMC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | MBRS360TRPBF |
www.vishay.com
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 94322
2
Revision: 15-Aug-08
MBRS360TRPbF
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 3.0 A
Note
(1) Pulse width < 300 s, duty cycle < 2 %
Notes
(1)
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
(2) Mounted 1" square PCB
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNITS
Maximum forward voltage drop
VFM (1)
3 A
TJ = 25 °C
0.57
0.74
V
6 A
0.72
0.9
3 A
TJ = 125 °C
0.51
0.61
6 A
0.62
0.77
Maximum reverse leakage current
IRM (1)
TJ = 25 °C
VR = Rated VR
-0.5
mA
TJ = 100 °C
-
20
TJ = 125 °C
-
30
Maximum junction capacitance
CT
VR = 5 VDC (test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C
-
180
pF
Typical series inductance
LS
Measured lead to lead 5 mm from package body
-
3.0
nH
Maximum voltage rate of change
dV/dt
Rated VR
-
10 000
V/s
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VALUES
UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ (1), TStg
- 55 to 150
°C
Maximum thermal resistance,
junction to lead
RthJL (2)
DC operation
12
°C/W
Maximum thermal resistance,
junction to ambient
RthJA
46
Approximate weight
0.24
g
0.008
oz.
Marking device
Case style SMC (similar to DO-214AB)
V36
dP
tot
dT
J
-------------
1
R
thJA
--------------
<
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRSH1545CT | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRSH2545CT | 12.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MBRX1100-TP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MC12439FN | 800 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PQCC28 |
| MC143120E2FB | 1 CHANNEL(S), 1.25M bps, LOCAL AREA NETWORK CONTROLLER, PQFP44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MBRS360TRPBF_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Rectifier, 3.0 A |
| MBRS4060CT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40A,60V,DUAL SCHOTTKY Rect RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS410ET3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 4A 10V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MBRS410ET3_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| MBRS410ET3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 4A 10V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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