参数资料
型号: MBRS410LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 54K
描述: DIODE SCHOTTKY 10V 4A SMC
产品目录绘图: Rectifier SMC Pkg
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 10V
电流 - 平均整流 (Io): 4A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 330mV @ 4A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5mA @ 10V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商设备封装: SMC
包装: 标准包装
产品目录页面: 1568 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MBRS410LT3GOSDKR
MBRS410LT3
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min Pad
(Note 2)
1 Inch
Pad
Unit
Thermal Resistance,
Junction?to?Lead
Thermal Resistance,
Junction?to?Ambient
RJL
RJA
12
109
7.0
59
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
VF
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
V
(IF
= 2.0 A)
(IF
= 4.0 A)
(IF
= 8.0 A)
0.31
0.33
0.35
0.200
0.225
0.250
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
IR
TJ
= 25
°C
TJ
= 100
°C
mA
(Rated dc Voltage, VR
= 5.0 V)
(Rated dc Voltage, VR
= 10 V)
2.0
5.0
100
200
1. Pulse Test: Pulse Width ≤
300
s, Duty Cycle ≤
2%.
2. Mounted with Minimum Recommended Pad Size, PC Board FR4.
0 0.2 0.0.1 0.3 0.4
5
100
0.1
10
1
04 8261004 82610
10000
1000
C, CAPACITANCE (pF)
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 1. Typical Forward Voltage
0 0.2 0.50.1 0.3 0.4
100
0.1
10
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
Figure 2. Maximum Forward Voltage
VF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
Figure 3. Typical Reverse Current
1.00E?04
1.00E?03
I
R
, REVERSE CURRENT (A)
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 4. Typical Capacitance
VF
@ 125
°C
100°C
75°C
?40°C
25°C
VF
@ 125
°C
100°C
25°C
1.00E?02
1.00E?01
1.00E+00
IR
@ 125
°C
100°C
75°C
25°C
1
75°C
25°C
f = 1 Mhz
相关PDF资料
PDF描述
MBRS4201T3 DIODE SCHOTTKY 4A 200V SMC
MI3035S-E3/4W DIODE SCHOTT 30A 35V SGL TO220-3
MMBD1401A DIODE 175V 200MA SOT23
MMBD4148,215 DIODE HIGH SPEED SWITCHING SOT23
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相关代理商/技术参数
参数描述
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