参数资料
| 型号： | MC100EL11DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:2 1.5GHZ 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 100EL |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:2 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | ECL，PECL |
| 输出： | ECL，PECL |
| 频率 - 最大： | 1.5GHz |
| 电源电压： | 4.2 V ~ 5.7 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC10EL11, MC100EL11
http://onsemi.com
2
Table 2. ATTRIBUTES
Characteristics
Value
Internal Input Pulldown Resistor
75 KW
Internal Input Pullup Resistor
N/A
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
> 1 KV
> 100 V
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 1)
Level 1
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
Transistor Count
44
Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
1. For additional information, see Application Note AND8003/D.
Table 3. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Unit
VCC
PECL Mode Power Supply
VEE = 0 V
8
V
VEE
NECL Mode Power Supply
VCC = 0 V
8
V
VI
PECL Mode Input Voltage
NECL Mode Input Voltage
VEE = 0 V
VCC = 0 V
VI VCC
VI VEE
6
V
Iout
Output Current
Continuous
Surge
50
100
mA
TA
Operating Temperature Range
40 to +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
SOIC8
190
130
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
Standard Board
SOIC8
41 to 44
°C/W
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
TSSOP8
185
140
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
Standard Board
TSSOP8
41 to 44 ± 5%
°C/W
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
DFN8
129
84
°C/W
Tsol
Wave Solder
Pb
PbFree
<2 to 3 sec @ 248°C
<2 to 3 sec @ 260°C
265
°C
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(Note 2)
DFN8
35 to 40
°C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
2. JEDEC standard multilayer board 2S2P (2 signal, 2 power)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC7545ACG#PBF | IC D/ACONV MULTIPLY 12BIT 20SSOP |
| PI49FCT32805QEX | IC CLK BUFFER 1:5 133MHZ 20-QSOP |
| LTC7545ACG | IC D/ACONV MULTIPLY 12BIT 20SSOP |
| LTC1257IS8 | IC D/A CONV 12BIT VOLT OUT 8SOIC |
| PI49FCT3807AQE | IC CLK BUFFER 1:10 66MHZ 20-QSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC100EL11DT | 功能描述:时钟缓冲器 5V 1:2 ECL Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| MC100EL11DTG | 功能描述:时钟缓冲器 BBG ECL BUFR FANOUT DIFF RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| MC100EL11DTR2 | 功能描述:时钟缓冲器 5V 1:2 ECL Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| MC100EL11DTR2G | 功能描述:时钟缓冲器 5V 1:2 ECL Diff Fanout Buffer RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| MC100EL11MNR4 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer |
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