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参数资料
| 型号： | MC13850-900EVK |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 8/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MC13850_900_EVK |
| 其它有关文件： | MC13850 Overview |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 放大器 |
| 频率： | 900MHz |
| 适用于相关产品： | MC13850 |
| 已供物品： | 板 |
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Scattering and Noise Parameters
Table 4. Electrical Characteristics Measured in Frequency Specific Tuned Circuits (continued)
(Vcc = 2.7V, TA = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Noise Figure
NF
Low IP3
—
1.6
1.95
dB
High IP3
Bypass
Input IP3
Low IP3
High IP3
Bypass
Power Output at 1.0 dB Gain Compression
Low IP3
High IP3
Gain
Low IP3
High IP3
Bypass
IIP3
P1dBoutput
S21
—
—
7
11
26
-1
0
11.6
12
-3.7
1.85
3.2
10
12.5
27.2
1
2.2
12.6
13
-3.2
2.2
4.3
—
—
—
—
—
—
—
—
dBm
dBm
dB
3
Scattering and Noise Parameters
Table 5 through Table 14 list the S parameters for the packaged part in a 50 Ω system for each of the four
modes of operation and over temperature.
Table 5. Low IP3 Mode 25 °C Scattering Parameters
(Vcc = 2.7V, Enable 1 = High, Enable 2 = High, 50 Ω System)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
Mag
Ang
Mag
Ang
Mag
Ang
Mag
Ang
300
350
400
450
500
550
600
650
700
0.767
0.754
0.742
0.727
0.693
0.675
0.664
0.647
0.628
-16.4
-18.8
-21.3
-23.5
-25.9
-27.8
-30.2
-32.5
-35
12.078
11.759
11.482
11.209
10.786
10.489
10.187
9.98
9.815
163.6
160.1
156.9
154.1
150.2
147.3
144.6
142.1
139.9
0.02
0.024
0.027
0.03
0.032
0.035
0.038
0.04
0.043
68.8
69
69.6
69.7
68.8
69.1
68.7
68.3
68.1
0.854
0.848
0.84
0.833
0.824
0.81
0.802
0.79
0.776
1.1
-2.6
-5.6
-8.5
-8.9
-11.1
-13.1
-15.3
-17.2
MC13850 Advance Information, Rev. 1
8
Freescale Semiconductor
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PDF描述 |
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