型号: | MC14106BDR2 |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 9/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC SCHMITT TRIGGER HEX 14SOIC |
标准包装: | 1 |
系列: | 4000B |
逻辑类型: | 逆变器,缓冲器 |
电路数: | 6 |
输入数: | 1 |
特点: | 施密特触发器 |
电源电压: | 3 V ~ 18 V |
电流 - 静态(最大值): | 1µA |
输出电流高,低: | 8.8mA,8.8mA |
逻辑电平 - 低: | 0.9 V ~ 4 V |
逻辑电平 - 高: | 3.6 V ~ 10.8 V |
额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟: | 80ns @ 15V,50pF |
工作温度: | -55°C ~ 125°C |
安装类型: | 表面贴装 |
供应商设备封装: | 14-SOICN |
封装/外壳: | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | MC14106BDR2OSDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
OSTV8135151 | TERM BLOCK PLUG 5.08MM 13POS |
OSTH410505C | CONN PLUG HEADER 10PS 5.08MM |
OSTHP233050 | CON TERM BLOCK 23POS 3.81MM |
OSTTS13015D | TERM BLOCK PLUG 7.62MM 13POS |
OSTTS13015C | TERM BLOCK PLUG 7.62MM 13POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MC14106BDR2G | 功能描述:变换器 3-18V CMOS Hex Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
MC14106BDTR2 | 功能描述:变换器 3-18V CMOS Hex RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
MC14106BDTR2G | 功能描述:变换器 3-18V CMOS Hex Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
MC1411CP | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MC1413BD | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |