参数资料
| 型号： | MC14106BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SCHMITT TRIGGER HEX 14SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | 4000B |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 6 |
| 输入数： | 1 |
| 特点： | 施密特触发器 |
| 电源电压： | 3 V ~ 18 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8.8mA，8.8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.9 V ~ 4 V |
| 逻辑电平 - 高： | 3.6 V ~ 10.8 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 80ns @ 15V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 14-SOICN |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1125 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC14106BDR2GOSDKR |
MC14106B
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to VSS)
Characteristic
Symbol
VDD
Vdc
55°C
25°C
125°C
Unit
Min
Max
Typ (2)
Max
Min
Max
Output Voltage
“0” Level
Vin = VDD
“1” Level
Vin = 0
VOL
5.0
10
15
0.05
0
0.05
0.05
Vdc
VOH
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
4.95
9.95
14.95
5.0
10
15
4.95
9.95
14.95
Vdc
Hysteresis Voltage
VH (5)
5.0
10
15
0.3
1.2
1.6
2.0
3.4
5.0
0.3
1.2
1.6
1.1
1.7
2.1
2.0
3.4
5.0
0.3
1.2
1.6
2.0
3.4
5.0
Vdc
Threshold Voltage
PositiveGoing
NegativeGoing
VT+
5.0
10
15
2.2
4.6
6.8
3.6
7.1
10.8
2.2
4.6
6.8
2.9
5.9
8.8
3.6
7.1
10.8
2.2
4.6
6.8
3.6
7.1
10.8
Vdc
VT–
5.0
10
15
0.9
2.5
4.0
2.8
5.2
7.4
0.9
2.5
4.0
1.9
3.9
5.8
2.8
5.2
7.4
0.9
2.5
4.0
2.8
5.2
7.4
Vdc
Output Drive Current
(VOH = 2.5 Vdc)
Source
(VOH = 4.6 Vdc)
(VOH = 9.5 Vdc)
(VOH = 13.5 Vdc)
(VOL = 0.4 Vdc)
Sink
(VOL = 0.5 Vdc)
(VOL = 1.5 Vdc)
IOH
5.0
10
15
– 3.0
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 2.4
– 0.51
– 1.3
– 3.4
– 4.2
– 0.88
– 2.25
– 8.8
– 1.7
– 0.36
– 0.9
– 2.4
mAdc
IOL
5.0
10
15
0.64
1.6
4.2
0.51
1.3
3.4
0.88
2.25
8.8
0.36
0.9
2.4
mAdc
Input Current
Iin
15
±0.1
±0.00001
±0.1
±1.0
mAdc
Input Capacitance
(Vin = 0)
Cin
5.0
7.5
pF
Quiescent Current
(Per Package)
IDD
5.0
10
15
0.25
0.5
1.0
0.0005
0.0010
0.0015
0.25
0.5
1.0
7.5
15
30
mAdc
Total Supply Current (Note 3, 4)
(Dynamic plus Quiescent,
Per Package)
(CL = 50 pF on all outputs, all
buffers switching)
IT
5.0
10
15
IT = (1.8 mA/kHz) f + IDD
IT = (3.6 mA/kHz) f + IDD
IT = (5.4 mA/kHz) f + IDD
mAdc
2. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
3. The formulas given are for the typical characteristics only at 25°C.
4. To calculate total supply current at loads other than 50 pF:
IT(CL) = IT(50 pF) + (CL – 50) Vfk where IT is in mA (per package), CL in pF, V = (VDD – VSS) in volts, f in kHz is input frequency, and
k = 0.001.
5. VH = VT+ – VT– (But maximum variation of VH is specified as less that VT+ max – VT– min).
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PDF描述 |
|---|---|
| MC14093BDR2G | IC SCHMITT TRIG NAND QUAD 14SOIC |
| 0553595078 | CONN CF CARD HEADER .05" R/A SMD |
| VI-B1L-MU-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W |
| 315610050210871+ | CONN MEMORY CARD HDR CF NORMAL |
| 315610050260871+ | CONNECTOR COMPACT FLASH TYPE1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MC14106BDTR2G | 功能描述:变换器 3-18V CMOS Hex Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC1411CP | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MC1413BD | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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