参数资料
| 型号： | MC14106BDTR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SCHMITT TRIGGER HEX 14-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | 4000B |
| 逻辑类型： | 逆变器，缓冲器 |
| 电路数： | 6 |
| 输入数： | 1 |
| 特点： | 施密特触发器 |
| 电源电压： | 3 V ~ 18 V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 1µA |
| 输出电流高，低： | 8.8mA，8.8mA |
| 逻辑电平 - 低： | 0.9 V ~ 4 V |
| 逻辑电平 - 高： | 3.6 V ~ 10.8 V |
| 额定电压和最大 CL 时的最大传播延迟： | 80ns @ 15V，50pF |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MC14106B
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC14
CASE 751A03
ISSUE J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127
(0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
A
B
G
P 7 PL
14
8
7
1
M
0.25 (0.010)
B M
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
T
F
R X 45
SEATING
PLANE
D 14 PL
K
C
J
M
_
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
8.55
8.75
0.337
0.344
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.228
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
7.04
14X
0.58
14X
1.52
1.27
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT*
7X
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| MC14106BDTR2G | 功能描述:变换器 3-18V CMOS Hex Schmitt Trigger RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 电路数量:6 逻辑系列:74ABT 逻辑类型:BiCMOS 高电平输出电流:- 15 mA 低电平输出电流:20 mA 传播延迟时间:2.2 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 工作温度范围: 封装 / 箱体:DIP-14 封装:Tube |
| MC1411CP | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MC1413BD | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDG | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
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