参数资料
| 型号： | MC1413BD |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TRANS ARRAY DARL HV 16SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 48 |
| 类型： | 达林顿晶体管矩阵 |
| 驱动器/接收器数： | 7/0 |
| 电源电压： | 5V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MC1413BDOS |
MC1413, MC1413B, NCV1413B
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP16
P SUFFIX
CASE 64808
ISSUE T
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS
WHEN FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
A
B
F
C
S
H
G
D
J
L
M
16 PL
SEATING
18
9
16
K
PLANE
T
M
A
M
0.25 (0.010)
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.740
0.770
18.80
19.55
B
0.250
0.270
6.35
6.85
C
0.145
0.175
3.69
4.44
D
0.015
0.021
0.39
0.53
F
0.040
0.70
1.02
1.77
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.050 BSC
1.27 BSC
J
0.008
0.015
0.21
0.38
K
0.110
0.130
2.80
3.30
L
0.295
0.305
7.50
7.74
M
0
10
0
10
S
0.020
0.040
0.51
1.01
_
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| MC1413BDG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor Array IC |
| MC1413BDR2 | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDR2G | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MC1413BDR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16 |
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