参数资料
| 型号： | MC33078DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW NOISE 8SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 7 V/µs |
| 增益带宽积： | 16MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 300nA |
| 电压 - 输入偏移： | 150µV |
| 电流 - 电源： | 4.1mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 37mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 36 V，±5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1130 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC33078DGOS |
MC33078, MC33079, NCV33078, NCV33079
http://onsemi.com
4
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = +15 V, VEE = 15 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Slew Rate (Vin = 10 V to +10 V, RL = 2.0 kW, CL = 100 pF AV = +1.0)
SR
5.0
7.0
V/ms
Gain Bandwidth Product (f = 100 kHz)
GBW
10
16
MHz
Unity Gain Bandwidth (Open Loop)
BW
9.0
MHz
Gain Margin (RL = 2.0 kW)
CL = 0 pF
CL = 100 pF
Am
11
6.0
dB
Phase Margin (RL = 2.0 kW)
CL = 0 pF
CL = 100 pF
fm
55
40
Deg
Channel Separation (f = 20 Hz to 20 kHz)
CS
120
dB
Power Bandwidth (VO = 27 Vpp, RL = 2.0 kW, THD $ 1.0%)
BWp
120
kHz
Total Harmonic Distortion
(RL = 2.0 kW, f = 20 Hz to 20 kHz, VO = 3.0 Vrms, AV = +1.0)
THD
0.002
%
Open Loop Output Impedance (VO = 0 V, f = 9.0 MHz)
|ZO|
37
W
Differential Input Resistance (VCM = 0 V)
Rin
175
kW
Differential Input Capacitance (VCM = 0 V)
Cin
12
pF
Equivalent Input Noise Voltage (RS = 100 W, f = 1.0 kHz)
en
4.5
nV/ Hz
√
Equivalent Input Noise Current (f = 1.0 kHz)
in
0.5
pA/
Hz √
VCM = 0 V
TA = 25°C
Figure 2. Maximum Power Dissipation
versus Temperature
Figure 3. Input Bias Current versus
Supply Voltage
Figure 4. Input Bias Current versus Temperature
Figure 5. Input Offset Voltage versus Temperature
P,
MAXIMUM
POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
D
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
160
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
-55 -40
MC33078P & MC33079P
MC33079D
MC33078D
010
15
20
VCC, | VEE |, SUPPLY VOLTAGE (V)
I,
INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
IB
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
25
50
75
100
125
-55
-25
VCC = +15 V
VEE = -15 V
VCM = 0 V
V,
INPUT
OFFSET
VOL
TAGE
(mV)
IO
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
-55
-25
0
25
50
75
100
125
Unit 1
Unit 2
Unit 3
VCC = +15 V
VEE = -15 V
RS = 10 W
VCM = 0 V
AV = +1
I,
INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
IB
2400
2000
1600
1200
800
400
0
800
600
400
200
0
1000
800
600
400
200
0
2.0
1.0
0
-1.0
-2.0
5.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-120-17-T-D | CONN HEADER 40POS .100" DUAL TIN |
| TSW-129-14-G-S | CONN HEADER 29POS .100" SGL GOLD |
| TSW-129-08-G-S | CONN HEADER 29POS .100" SGL GOLD |
| 929836-05-19-RK | CONN HEADER .100 DUAL STR 38POS |
| 929836-04-16-RK | CONN HEADER .100 DUAL STR 32POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33078DG4 | 功能描述:高速运算放大器 Dual High-Spd Low-Noise Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33078DGKR | 功能描述:高速运算放大器 Dual Hi-Sp Lo-Noise Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33078DGKRG4 | 功能描述:高速运算放大器 Dual Hi-Sp Lo-Noise Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33078DGKT | 功能描述:高速运算放大器 Dual Hi-Sp Lo-Noise Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33078DGKTG4 | 功能描述:高速运算放大器 Dual Hi-Sp Lo-Noise Op Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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