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参数资料
| 型号： | MC33129 |
| 厂商： | 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 |
| 英文描述： | High Performance Current Mode Controllers(高性能电流模式控制器) |
| 中文描述： | 高性能电流模式控制器（高性能电流模式控制器） |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 438K |
| 代理商： | MC33129 |
12
Figure 24. Current Sensing Power MOSFET
Figure 25. Current Waveform Spike Suppression
Figure 26. MOSFET Parasitic Oscillations
Figure 27. Bipolar Transistor Drive
VRS
≈
RS
Ipk
rDS(on)
rDM(on) + rS
If: SENSEFET = MTP10N10M
RS = 200
Then: VRS
≈
0.075 Ipk
1.25V
–
8
9
10
11
1
2
3
Vin
D
SENSEFET
G
M
K
S
Power Ground:
To Input Source
Return
1RS
Control Circuitry Ground:
To Pin 7
Virtually lossless current sensing can be achieved with the implementation of a
SENSEFET power switch.
+
The addition of the RC filter will eliminate instability caused by the
leading edge spike on the current waveform.
1
2
3
Vin
Q1
R
C
RS
1
2
3
Vin
Q1
RS
Rg
Series gate resistor Rg will damp any high frequency parasitic
oscillations caused by the MOSFET input capacitance and any
series wiring inductance in the gate–source circuit.
The totem–pole output can furnish negative base current for enhanced
transistor turn–off, with the addition of capacitor C1.
1
2
3
Vin
Q1
RS
C1
IB
+
0
–
Base Charge
Removal
t
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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