- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17266 > MC33151DG (ON Semiconductor)IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MC33151DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 6.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MC33151DG-ND MC33151DGOS |
MC34151, MC33151
3.0
High State Clamp
90%
Logic Input
V CC = 12 V
V in = 5 V to 0 V
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
2.0
1.0
(Drive Output Driven Above V CC )
V CC = 12 V
80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
V CC
0
10%
Drive Output
0
GND
Low State Clamp
(Drive Output Driven Below Ground)
-1.0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
1.4
50 ns/DIV
Figure 8. Propagation Delay
I O , OUTPUT LOAD CURRENT (A)
Figure 9. Drive Output Clamp Voltage
versus Clamp Current
0
-1.0
-2.0
V CC
Source Saturation V CC = 12 V
(Load to Ground) 80 m s Pulsed Load
120 Hz Rate
T A = 25 ° C
0
-0.5
-0.7
-0.9
-1.1
Source Saturation
(Load to Ground)
V CC
I source = 10 mA
I source = 400 mA
V CC = 12 V
-3.0
3.0
2.0
1.9
1.7
1.5
1.0
I sink = 400 mA
I sink = 10 mA
GND
(Load to V CC )
1.0
0
0
0.2
Sink Saturation
(Load to V CC )
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
1.4
0.8
Sink Saturation GN D
0.6
0
-55 -25 0 25 50 75
100
125
I O , OUTPUT LOAD CURRENT (A)
Figure 10. Drive Output Saturation Voltage
versus Load Current
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Drive Output Saturation Voltage
versus Temperature
90%
90%
V CC = 12 V
V in = 5 V to 0 V
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
V CC = 12 V
V in = 5 V to 0 V
10%
C L = 1.0 nF
T A = 25 ° C
10 ns/DIV
Figure 12. Drive Output Rise Time
10%
http://onsemi.com
5
10 ns/DIV
Figure 13. Drive Output Fall Time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC33151PG | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-DIP |
| AS4PMHM3/87A | DIODE STD 4A 1000V SMPC |
| EBM10DCAN-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| EBM10DCAH-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| LBR2012T2R2M | INDUCTOR 2.2UH 260MA 20% SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33151DR2 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33151DR2G | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33151P | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33151PG | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MC33151VD | 功能描述:功率驱动器IC ANA HI SPD DUAL DR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。