参数资料
型号: MC33152DR2
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 10/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC
产品变化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
标准包装: 2,500
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 55ns
电流 - 峰: 1.5A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 6.1 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: MC33152DR2OS
MC34152, MC33152, NCV33152
ORDERING INFORMATION
MC34152DG
MC34152DR2G
MC34152PG
MC33152DG
MC33152DR2G
MC33152PG
MC33152VDG
MC33152VDR2G
NCV33152DR2G*
Device
Package
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
PDIP ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
PDIP ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
SOIC ? 8
Shipping ?
98 Units / Rail
2500 Tape & Reel
50 Units / Rail
98 Units / Rail
2500 Tape & Reel
50 Units / Rail
98 Units / Rail
2500 Tape & Reel
2500 Tape & Reel
(Pb ? Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*NCV prefix is for automotive and other applications requiring site and change control.
http://onsemi.com
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参数描述
MC33152DR2G 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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MC33152VDR2 功能描述:功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube