参数资料
| 型号： | MC33172DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 2.1 V/µs |
| 增益带宽积： | 1.8MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 20nA |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 220µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 27mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 44 V，±1.5 V ~ 22 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1130 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC33172DG-ND MC33172DGOS |
MC33171, 2, 4, NCV33172, 4
http://onsemi.com
14
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC14
CASE 751A03
ISSUE J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127
(0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
A
B
G
P 7 PL
14
8
7
1
M
0.25 (0.010)
B M
S
B
M
0.25 (0.010)
A S
T
T
F
R X 45
SEATING
PLANE
D 14 PL
K
C
J
M
_
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
8.55
8.75
0.337
0.344
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.054
0.068
D
0.35
0.49
0.014
0.019
F
0.40
1.25
0.016
0.049
G
1.27 BSC
0.050 BSC
J
0.19
0.25
0.008
0.009
K
0.10
0.25
0.004
0.009
M
0
7
0
7
P
5.80
6.20
0.228
0.244
R
0.25
0.50
0.010
0.019
__
7.04
14X
0.58
14X
1.52
1.27
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
7X
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N6286AHE3/73 | TVS UNIDIR 1.5KW 43V 5% 1.5KE |
| 1N6286A-E3/73 | TVS UNIDIR 1.5KW 43V 5% 1.5KE |
| 1N6285AHE3/73 | TVS UNIDIR 1.5KW 39V 5% 1.5KE |
| RC0805FR-076R65L | RES 6.65 OHM 1/8W 1% 0805 SMD |
| 1N6285A-E3/73 | TVS UNIDIR 1.5KW 39V 5% 1.5KE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MC33172DR2 | 功能描述:运算放大器 - 运放 3-44V Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MC33172DR2G | 功能描述:运算放大器 - 运放 3-44V Dual Low Power Industrial Temp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| MC33172DR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Operational Amplifier (Op-Amp) IC |
| MC33172DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MC Series 2.1 V/us 44 V Single Supply Low Power Operational Amplifier - SOIC-8 |
| MC33172DT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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