参数资料
| 型号： | MC33178DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW PWR/NS 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 2 V/µs |
| 增益带宽积： | 5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 100nA |
| 电压 - 输入偏移： | 1500µV |
| 电流 - 电源： | 1.7mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 100mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 36 V，±2 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1130 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MC33178DG-ND MC33178DGOS |
MC33178, MC33179
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = +15 V, VEE = 15 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.)
Characteristics
Figure
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Input Offset Voltage (RS = 50 W, VCM = 0 V, VO = 0 V)
(VCC = +2.5 V, VEE = 2.5 V to VCC = +15 V, VEE = 15 V)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
|VIO|
0.15
3.0
4.0
mV
Average Temperature Coefficient of Input Offset Voltage
(RS = 50 W, VCM = 0 V, VO = 0 V)
TA = 40° to +85°C
DVIO/DT
2.0
mV/°C
Input Bias Current (VCM = 0 V, VO = 0 V)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
IIB
100
500
600
nA
Input Offset Current (VCM = 0 V, VO = 0 V)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
|IIO|
5.0
50
60
nA
Common Mode Input Voltage Range
(DVIO = 5.0 mV, VO = 0 V)
VICR
13
14
+14
+13
V
Large Signal Voltage Gain (VO = 10 V to +10 V, RL = 600 W)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
AVOL
50
25
200
kV/V
Output Voltage Swing (VID = ±1.0 V)
(VCC = +15 V, VEE = 15 V)
RL = 300 W
RL = 600 W
RL = 2.0 kW
(VCC = +2.5 V, VEE = 2.5 V)
RL = 600 W
VO+
VO
VO+
VO
VO+
VO
VO+
VO
+12
+13
1.1
+12
12
+13.6
13
+14
13.8
1.6
12
13
1.1
V
Common Mode Rejection (Vin = ±13 V)
CMR
80
110
dB
Power Supply Rejection
VCC/VEE = +15 V/ 15 V, +5.0 V/ 15 V, +15 V/ 5.0 V
PSR
80
110
dB
Output Short Circuit Current (VID = ±1.0 V, Output to Ground)
Source (VCC = 2.5 V to 15 V)
Sink (VEE = 2.5 V to 15 V)
ISC
+50
50
+80
100
mA
Power Supply Current (VO = 0 V)
(VCC = 2.5 V, VEE = 2.5 V to VCC = +15 V, VEE = 15 V)
MC33178 (Dual)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
MC33179 (Quad)
TA = +25°C
TA = 40° to +85°C
ID
1.7
1.4
1.6
2.4
2.6
mA
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