参数资料
型号: MC33202VDR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/18页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP DUAL R-R LOW VOLT 8SOIC
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 1 V/µs
增益带宽积: 2.2MHz
电流 - 输入偏压: 80nA
电压 - 输入偏移: 8000µV
电流 - 电源: 900µA
电流 - 输出 / 通道: 80mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.8 V ~ 12 V,±0.9 V ~ 6 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: MC33202VDR2GOSCT
MC33201, MC33202, MC33204, NCV33202, NCV33204
http://onsemi.com
13
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
P, VP SUFFIX
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
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PDF描述
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参数描述
MC33202VP 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8-12V Dual Rail to RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
MC33202VPG 功能描述:运算放大器 - 运放 1.8-12V Dual Rail to Rail -55 to 125 Cel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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