参数资料
| 型号： | MC33502PG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL R-R 1V 8DIP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SMARTMOS™ |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 3 V/µs |
| 增益带宽积： | 5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 0.04pA |
| 电压 - 输入偏移： | 500µV |
| 电流 - 电源： | 1.65mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1 V ~ 7 V，±0.5 V ~ 3.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | MC33502PGOS |
MC33502
http://onsemi.com
5
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VCC = 5.0 V, VEE = 0 V, VCM = VO = VCC/2, TA = 25°C, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Slew Rate (VS = ±2.5 V, VO = 2.0 to 2.0 V, RL = 2.0 kW, AV = 1.0)
SR
V/
ms
Positive Slope
2.0
3.0
6.0
Negative Slope
2.0
3.0
6.0
Gain Bandwidth Product (f = 100 kHz)
GBW
MHz
VCC = 0.5 V, VEE = 0.5 V
3.0
4.0
6.0
VCC = 1.5 V, VEE = 1.5 V
3.5
4.5
7.0
VCC = 2.5 V, VEE = 2.5 V
4.0
5.0
8.0
Gain Margin (RL =10 kW, CL = 0 pF)
Am
6.5
dB
Phase Margin (RL = 10 kW, CL = 0 pF)
φm
60
Deg
Channel Separation (f = 1.0 Hz to 20 kHz, RL = 600 W)
CS
120
dB
Power Bandwidth (VO = 4.0 Vpp, RL = 1.0 kW, THD ≤1.0%)
BWP
200
kHz
Total Harmonic Distortion (VO = 4.5 Vpp, RL = 600 W, AV = 1.0)
THD
%
f = 1.0 kHz
0.004
f = 10 kHz
0.01
Differential Input Resistance (VCM = 0 V)
Rin
>1.0
terra
W
Differential Input Capacitance (VCM = 0 V)
Cin
2.0
pF
Equivalent Input Noise Voltage (VCC = 1.0 V, VCM = 0 V, VEE = Gnd,
en
nV/
√Hz
RS = 100 W)
f = 1.0 kHz
30
Figure 2. Representative Block Diagram
Offset
Voltage
Trim
Output
Voltage
Saturation
Detector
Body
Bias
Clamp
VCC
IN
Out
IN+
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